
TK62N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1137.65 грн |
30+ | 886.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK62N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK62N60W,S1VF за ціною від 673.73 грн до 1286.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK62N60W,S1VF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK62N60W,S1VF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
TK62N60W,S1VF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |