TK62N60W5,S1VF(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 889.16 грн |
| 5+ | 804.36 грн |
| 10+ | 718.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK62N60W5,S1VF(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK62N60W5,S1VF(S за ціною від 846.94 грн до 1136.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK62N60W5,S1VF(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK62N60W5,S1VF(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||
| TK62N60W5,S1VF(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Pulsed drain current: 247A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| TK62N60W5,S1VF(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Pulsed drain current: 247A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |