
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 866.02 грн |
10+ | 757.20 грн |
30+ | 558.38 грн |
60+ | 542.93 грн |
120+ | 538.52 грн |
270+ | 532.63 грн |
510+ | 517.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK62N60W5,S1VF Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK62N60W5,S1VF за ціною від 801.51 грн до 905.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK62N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
TK62N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
TK62N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |