Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TK62N60X,S1F

TK62N60X,S1F

docget.jsp?did=14635&prodName=TK62N60X
Код товару: 198877
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK62N60X,S1F за ціною від 475.02 грн до 973.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK62N60X,S1F TK62N60X,S1F Toshiba 614docget.jsppidtk62n60xlangentypedatasheet.jsppidtk62n60xlangentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+753.31 грн
30+672.57 грн
60+647.28 грн
120+597.34 грн
270+532.77 грн
510+475.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F TK62N60X,S1F Toshiba 614docget.jsppidtk62n60xlangentypedatasheet.jsppidtk62n60xlangentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+753.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14635&prodName=TK62N60X Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.71 грн
30+570.47 грн
120+489.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F TK62N60X,S1F Toshiba TK62N60X_datasheet_en_20140228-1150306.pdf MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
на замовлення 60 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F 614docget.jsppidtk62n60xlangentypedatasheet.jsppidtk62n60xlangentype.pdf
TK62N60X,S1F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+753.31 грн
30+672.57 грн
60+647.28 грн
120+597.34 грн
270+532.77 грн
510+475.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F 614docget.jsppidtk62n60xlangentypedatasheet.jsppidtk62n60xlangentype.pdf
TK62N60X,S1F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+753.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F docget.jsp?did=14635&prodName=TK62N60X
TK62N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+973.71 грн
30+570.47 грн
120+489.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F TK62N60X_datasheet_en_20140228-1150306.pdf
TK62N60X,S1F
Виробник: Toshiba
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
на замовлення 60 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.