Інші пропозиції TK62N60X,S1F за ціною від 383.27 грн до 1000.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK62N60X,S1F | Toshiba |
 MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax |
на замовлення 60 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK62N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TK62N60X,S1F |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
на замовлення 60 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 826.21 грн |
| 10+ | 698.75 грн |
| 30+ | 505.64 грн |
| 270+ | 445.86 грн |
| 510+ | 401.56 грн |
| 2520+ | 383.27 грн |
| TK62N60X,S1F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1000.82 грн |
| 30+ | 586.35 грн |
| 120+ | 503.61 грн |