Інші пропозиції TK62N60X,S1F за ціною від 377.29 грн до 897.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK62N60X,S1F | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TK62N60X,S1F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TK62N60X,S1F | Виробник : Toshiba |
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax |
на замовлення 60 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TK62N60X,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TK62N60X,S1F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
TK62N60X,S1F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |