| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1346.38 грн |
| 10+ | 1220.39 грн |
| 100+ | 865.71 грн |
| 500+ | 781.32 грн |
| 1000+ | 749.67 грн |
| 2500+ | 732.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK62Z60X,S1F Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(T), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK62Z60X,S1F за ціною від 1222.79 грн до 1381.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK62Z60X,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|