Продукція > TOSHIBA > TK65E10N1,S1X(S
TK65E10N1,S1X(S

TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA

TK65E10N1.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+86.48 грн
10+75.77 грн
50+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 192W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.

Інші пропозиції TK65E10N1,S1X(S за ціною від 115.70 грн до 153.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK65E10N1,S1X(S TK65E10N1,S1X(S Toshiba 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+115.70 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S TK65E10N1,S1X(S Toshiba 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+116.06 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S TK65E10N1,S1X(S Toshiba 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+153.37 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf
TK65E10N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+115.70 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf
TK65E10N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
900+116.06 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf
TK65E10N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+153.37 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(S
TK65E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.