TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.88 грн |
| 10+ | 77.88 грн |
| 50+ | 71.11 грн |
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Технічний опис TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK65E10N1,S1X(S за ціною від 163.27 грн до 319.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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TK65E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TK65E10N1,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 319.98 грн |
| 10+ | 208.40 грн |
| 100+ | 163.27 грн |