Продукція > TOSHIBA > TK65E10N1,S1X
TK65E10N1,S1X

TK65E10N1,S1X Toshiba

2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+98.61 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK65E10N1,S1X Toshiba

Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TK65E10N1,S1X за ціною від 104.29 грн до 295.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK65E10N1,S1X TK65E10N1,S1X Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11934&prodName=TK65E10N1 Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.20 грн
50+135.83 грн
100+123.48 грн
500+108.94 грн
1000+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X TK65E10N1,S1X Виробник : Toshiba TK65E10N1_datasheet_en_20140630-1139955.pdf MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.98 грн
10+219.91 грн
50+127.23 грн
100+115.80 грн
500+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X TK65E10N1,S1X Виробник : Toshiba 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X Виробник : Toshiba 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X TK65E10N1,S1X Виробник : Toshiba 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X TK65E10N1,S1X Виробник : Toshiba 2tk65e10n1_en_datasheet_111028.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.