| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 273.21 грн |
| 10+ | 202.99 грн |
| 50+ | 117.44 грн |
| 100+ | 106.89 грн |
| 500+ | 102.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK65E10N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK65E10N1,S1X за ціною від 125.94 грн до 281.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK65E10N1,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|