| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 94.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK65E10N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK65E10N1,S1X за ціною від 90.91 грн до 224.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK65E10N1,S1X | Toshiba |
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
TK65E10N1,S1X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK65E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 224.45 грн |
| 10+ | 139.93 грн |
| 50+ | 107.38 грн |
| 100+ | 90.91 грн |
| TK65E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK65E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)