Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK65E10N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK65E10N1,S1X за ціною від 122.52 грн до 274.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TK65E10N1,S1X | Toshiba |
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
TK65E10N1,S1X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK65E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.02 грн |
| 50+ | 134.99 грн |
| 100+ | 122.52 грн |
| TK65E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK65E10N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)