Технічний опис TK65S04K3L(T6L1,NQ Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 65A, Power dissipation: 88W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 63nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TK65S04K3L(T6L1,NQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK65S04K3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 65A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
TK65S04K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
TK65S04K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045 |
товару немає в наявності |
|
|
|
TK65S04K3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 65A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |