TK65S04N1L,LQ(O Toshiba
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 81.63 грн |
| 4000+ | 76.80 грн |
| 6000+ | 75.25 грн |
| 8000+ | 69.68 грн |
| 10000+ | 62.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK65S04N1L,LQ(O Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 65A, Power dissipation: 107W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 39nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції TK65S04N1L,LQ(O за ціною від 63.71 грн до 82.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK65S04N1L,LQ(O | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TK65S04N1L,LQ(O |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 82.72 грн |
| 4000+ | 77.82 грн |
| 6000+ | 76.25 грн |
| 8000+ | 70.61 грн |
| 10000+ | 63.71 грн |