TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=14572&prodName=TK65S04N1L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK65S04N1L,LQ за ціною від 65.28 грн до 201.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK65S04N1L,LQ TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14572&prodName=TK65S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.75 грн
10+125.63 грн
50+95.95 грн
100+81.06 грн
500+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ TK65S04N1L,LQ Toshiba F9DF81C56B072210464F76629D735EB43B140D6467D2133DA89D1DAAE6E2C954.pdf MOSFETs UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ docget.jsp?did=14572&prodName=TK65S04N1L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.75 грн
10+125.63 грн
50+95.95 грн
100+81.06 грн
500+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ F9DF81C56B072210464F76629D735EB43B140D6467D2133DA89D1DAAE6E2C954.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.