TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 57.15 грн |
| 6000+ | 52.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TK65S04N1L,LQ за ціною від 52.01 грн до 139.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK65S04N1L,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V |
на замовлення 7976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK65S04N1L,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK65S04N1L,LQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
товар відсутній |