Продукція > TOSHIBA > TK6A60W,S4VX
TK6A60W,S4VX

TK6A60W,S4VX Toshiba

13tk6a60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6A60W,S4VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK6A60W,S4VX за ціною від 59.8 грн до 144.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK6A60W,S4VX TK6A60W,S4VX Виробник : Toshiba TK6A60W_datasheet_en_20140105-1139942.pdf MOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.73 грн
10+ 123.3 грн
100+ 99.22 грн
250+ 83.24 грн
500+ 73.25 грн
1000+ 61.33 грн
2500+ 59.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A60W,S4VX TK6A60W,S4VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13527&prodName=TK6A60W Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK6A60W,S4VX TK6A60W,S4VX Виробник : Toshiba 13tk6a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6A60W,S4VX Виробник : Toshiba 13tk6a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VX TK6A60W,S4VX Виробник : Toshiba 13tk6a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VX TK6A60W,S4VX Виробник : Toshiba 13tk6a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній