Інші пропозиції TK6A65DSTA4QM за ціною від 89.24 грн до 187.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK6A65D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
TK6A65D(STA4,Q,M) | Toshiba |
MOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
TK6A65D(STA4,Q,M) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK6A65D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.88 грн |
| 50+ | 89.24 грн |
| TK6A65D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
MOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK6A65D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| KLS6-MF72-20D11 Код товару: 83755
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Пасивні компоненти > Термістори
Опис: NTC термістор, 20 Ohm, 2A, D = 12,5mm
Опір: 20 Ом
Застосування: Запобіжні
Струм, макс.: 2 А
Тип: NTC
Розмір: D=11 мм
Пасивні компоненти > Термістори
Опис: NTC термістор, 20 Ohm, 2A, D = 12,5mm
Опір: 20 Ом
Застосування: Запобіжні
Струм, макс.: 2 А
Тип: NTC
Розмір: D=11 мм
у наявності: 1709 шт
- 1475 шт - склад
- 124 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 28 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 60 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 1.90 грн |






