
TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.75 грн |
10+ | 118.69 грн |
18+ | 52.67 грн |
49+ | 49.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK6A65D(STA4,Q,M) за ціною від 55.31 грн до 189.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
TK6A65DSTA4QM Код товару: 143200
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
TK6A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |