Продукція > TOSHIBA > TK6A65D(STA4,Q,M)
TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA

TK6A65D.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.68 грн
10+111.63 грн
50+82.93 грн
100+70.17 грн
250+58.21 грн
500+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK6A65D(STA4,Q,M) за ціною від 53.66 грн до 186.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba 09413550A9CA336AB1FEE7A4886AB3268ED5A7EA07B4C8DD711F781EF7944C23.pdf MOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.97 грн
10+114.44 грн
100+81.14 грн
500+60.93 грн
1000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22770&prodName=TK6A65D Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65DSTA4QM
Код товару: 143200
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.