Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TK6A65DSTA4QM

TK6A65DSTA4QM

Код товару: 143200
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK6A65DSTA4QM за ціною від 60.66 грн до 194.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA TK6A65D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.82 грн
5+112.18 грн
10+98.88 грн
50+76.45 грн
100+68.14 грн
250+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.31 грн
10+99.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22770&prodName=TK6A65D Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba 09413550A9CA336AB1FEE7A4886AB3268ED5A7EA07B4C8DD711F781EF7944C23.pdf MOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D.pdf
TK6A65D(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.82 грн
5+112.18 грн
10+98.88 грн
50+76.45 грн
100+68.14 грн
250+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf
TK6A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+163.31 грн
10+99.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22770&prodName=TK6A65D
TK6A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) 09413550A9CA336AB1FEE7A4886AB3268ED5A7EA07B4C8DD711F781EF7944C23.pdf
TK6A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M) 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf
TK6A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

KLS6-MF72-20D11
Код товару: 83755
1 Додати до обраних Обраний товар
kls-6-mf72.pdf
KLS6-MF72-20D11
Виробник: KLS
Пасивні компоненти > Термістори
Опис: NTC термістор, 20 Ohm, 2A, D = 12,5mm
Опір: 20 Ом
Застосування: Запобіжні
Струм, макс.: 2 А
Тип: NTC
Розмір: D=11 мм
у наявності: 1703 шт
  • 1469 шт - склад
  • 124 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 31 шт
  • 31 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+2.60 грн
100+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.