TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.63 грн |
| 50+ | 64.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK6A65W,S5X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK6A65W,S5X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|
 |
TK6A65W,S5X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
товару немає в наявності |