Продукція > TOSHIBA > TK6A80E,S4X(S
TK6A80E,S4X(S

TK6A80E,S4X(S TOSHIBA

TK6A80E.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+114.04 грн
5+95.14 грн
10+84.38 грн
50+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6A80E,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 45W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm.

Інші пропозиції TK6A80E,S4X(S за ціною від 224.04 грн до 224.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S Toshiba 6024docget.jsplangenpidtk6a80etypedatasheet.jsplangenpidtk6a80etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+224.04 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S Toshiba 6024docget.jsplangenpidtk6a80etypedatasheet.jsplangenpidtk6a80etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S Toshiba 6024docget.jsplangenpidtk6a80etypedatasheet.jsplangenpidtk6a80etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 6A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S 6024docget.jsplangenpidtk6a80etypedatasheet.jsplangenpidtk6a80etypeda.pdf
TK6A80E,S4X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+224.04 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S
TK6A80E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S 6024docget.jsplangenpidtk6a80etypedatasheet.jsplangenpidtk6a80etypeda.pdf
TK6A80E,S4X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S 6024docget.jsplangenpidtk6a80etypedatasheet.jsplangenpidtk6a80etypeda.pdf
TK6A80E,S4X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 800V 6A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.