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| Кількість | Ціна |
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| 147+ | 84.38 грн |
| 161+ | 76.87 грн |
| 198+ | 62.56 грн |
| 211+ | 56.46 грн |
| 500+ | 52.10 грн |
| 1000+ | 44.45 грн |
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Технічний опис TK6P60W,RVQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK6P60W,RVQ(S за ціною від 78.96 грн до 173.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
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TK6P60W,RVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK6P60W,RVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK6P60W,RVQ(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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