Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6P60W,RVQ Toshiba
Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TK6P60W,RVQ за ціною від 63.11 грн до 194.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK6P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAKRds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK6P60W,RVQ | Toshiba |
MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC |
на замовлення 4523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
TK6P60W,RVQ | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 85 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK6P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 194.74 грн |
| 10+ | 121.41 грн |
| 100+ | 83.48 грн |
| 500+ | 63.11 грн |
| TK6P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 4523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK6P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)