Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK6P60W,RVQ
TK6P60W,RVQ

TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13530&prodName=TK6P60W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.12 грн
10+87.20 грн
50+65.75 грн
100+55.21 грн
500+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK6P60W,RVQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Toshiba 3E2F343792F8DA0B3B5409B31A625168284EF1D83033AB9733F382CE313691FC.pdf MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ 3E2F343792F8DA0B3B5409B31A625168284EF1D83033AB9733F382CE313691FC.pdf
TK6P60W,RVQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.