Продукція > TOSHIBA > TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ

TK6P65W,RQ Toshiba

TK6P65W_datasheet_en_20151225-1916290.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 7670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.58 грн
10+ 78.31 грн
100+ 53.14 грн
500+ 45.06 грн
1000+ 36.72 грн
2000+ 34.52 грн
4000+ 32.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6P65W,RQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK6P65W,RQ за ціною від 41.53 грн до 101.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W_datasheet_en_20151225.pdf?did=15571&prodName=TK6P65W Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.1 грн
10+ 87 грн
100+ 67.85 грн
500+ 52.6 грн
1000+ 41.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Виробник : Toshiba 6821docget.jspdid15571prodnametk6p65w.jspdid15571prodnametk6p65w.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W_datasheet_en_20151225.pdf?did=15571&prodName=TK6P65W Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товар відсутній