TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=15571&prodName=TK6P65W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.92 грн
10+79.05 грн
50+59.40 грн
100+49.78 грн
500+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK6P65W,RQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Toshiba 4132453432423145454141313246334431314646464244303035443137314532.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ 4132453432423145454141313246334431314646464244303035443137314532.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 7454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.