TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.39 грн |
| 75+ | 102.35 грн |
| 150+ | 84.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK6Q60W,S1VQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK6Q60W,S1VQ | Toshiba |
MOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK6Q60W,S1VQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
MOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)