Продукція > TOSHIBA > TK6R7P06PL,RQ(S2
TK6R7P06PL,RQ(S2

TK6R7P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

3622514.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6R7P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції TK6R7P06PL,RQ(S2 за ціною від 28.40 грн до 326.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK6R7P06PL,RQ(S2 TK6R7P06PL,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA 3622514.pdf Description: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+326.75 грн
50+228.56 грн
100+177.77 грн
500+132.06 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba 0
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+54.63 грн
264+46.48 грн
308+39.75 грн
325+36.36 грн
500+31.49 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA TK6R7P06PL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.