Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK6R7P06PL,RQ
TK6R7P06PL,RQ

TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK6R7P06PL_datasheet_en_20210127.pdf?did=57939&prodName=TK6R7P06PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.84 грн
5000+ 22.78 грн
12500+ 21.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TK6R7P06PL,RQ за ціною від 23.84 грн до 73.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK6R7P06PL,RQ TK6R7P06PL,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL_datasheet_en_20210127.pdf?did=57939&prodName=TK6R7P06PL Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 25753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.36 грн
10+ 47.33 грн
100+ 36.8 грн
500+ 29.27 грн
1000+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK6R7P06PL,RQ TK6R7P06PL,RQ Виробник : Toshiba TK6R7P06PL_datasheet_en_20210127-1142575.pdf MOSFET N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
на замовлення 29509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.62 грн
10+ 65.08 грн
100+ 44.17 грн
500+ 36.47 грн
1000+ 28.83 грн
2500+ 26.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK6R7P06PL,RQ TK6R7P06PL,RQ Виробник : Toshiba tk6r7p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQ Виробник : Toshiba tk6r7p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQ TK6R7P06PL,RQ Виробник : Toshiba tk6r7p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній