на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 404.71 грн |
| 48+ | 256.62 грн |
| 59+ | 201.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK70J20D,S1Q(O Toshiba
Description: TOSHIBA - TK70J20D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 70 A, 0.02 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 410W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK70J20D,S1Q(O за ціною від 259.11 грн до 632.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK70J20D,S1Q(O | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK70J20D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 70 A, 0.02 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 410W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|