на замовлення 150 шт:
термін постачання 151-160 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.49 грн |
| 10+ | 196.65 грн |
| 25+ | 164.40 грн |
| 50+ | 95.41 грн |
| 100+ | 85.87 грн |
| 250+ | 80.73 грн |
| 500+ | 68.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK72A08N1,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TK72A08N1,S4X за ціною від 255.63 грн до 255.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK72A08N1,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220SISPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 10 V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|