| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 79.62 грн |
| 100+ | 77.99 грн |
| 500+ | 74.53 грн |
| 1000+ | 70.42 грн |
| 2000+ | 64.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK72E12N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N CH 120V 72A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V.
Інші пропозиції TK72E12N1,S1X за ціною від 64.78 грн до 244.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK72E12N1,S1X | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
на замовлення 18350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK72E12N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 120V 72A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK72E12N1,S1X | Toshiba |
MOSFETs N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044 |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK72E12N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 18350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 79.62 грн |
| 181+ | 77.99 грн |
| 500+ | 74.53 грн |
| 1000+ | 70.42 грн |
| 2000+ | 64.78 грн |
| TK72E12N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
Description: MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.77 грн |
| TK72E12N1,S1X |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044
MOSFETs N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)