Продукція > TOSHIBA > TK72E12N1,S1X
TK72E12N1,S1X

TK72E12N1,S1X Toshiba

495docget.jsppidtk72e12n1langentypedatasheet.jsppidtk72e12n1langenty.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+109.10 грн
100+99.38 грн
500+82.43 грн
1000+73.63 грн
2000+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK72E12N1,S1X Toshiba

Description: MOSFET N CH 120V 72A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V.

Інші пропозиції TK72E12N1,S1X за ціною від 70.83 грн до 233.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK72E12N1,S1X TK72E12N1,S1X Виробник : Toshiba 495docget.jsppidtk72e12n1langentypedatasheet.jsppidtk72e12n1langenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+117.50 грн
114+107.02 грн
500+88.77 грн
1000+79.29 грн
2000+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X TK72E12N1,S1X Виробник : Toshiba TK72E12N1_datasheet_en_20140630-1140063.pdf MOSFETs N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 157-166 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.75 грн
10+209.31 грн
50+104.95 грн
100+88.07 грн
250+85.87 грн
500+72.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X TK72E12N1,S1X Виробник : Toshiba 495docget.jsppidtk72e12n1langentypedatasheet.jsppidtk72e12n1langenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X Виробник : Toshiba 495docget.jsppidtk72e12n1langentypedatasheet.jsppidtk72e12n1langenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X TK72E12N1,S1X Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13466&prodName=TK72E12N1 Description: MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.