TK72E12N1,S1X(S


Код товару: 189455
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK72E12N1,S1X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S TOSHIBA 3934756.pdf Description: TOSHIBA - TK72E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 179 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X(S 3934756.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK72E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 179 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.