Продукція > TOSHIBA > TK72E12N1,S1X(S
TK72E12N1,S1X(S

TK72E12N1,S1X(S TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A102F566F893D6&compId=TK72E12N1.pdf?ci_sign=dde88a3bec80ce356ad75a2fdd0fbe57cfafbf11 Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.97 грн
9+112.69 грн
23+106.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK72E12N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK72E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 179 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 179A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK72E12N1,S1X(S за ціною від 104.27 грн до 245.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A102F566F893D6&compId=TK72E12N1.pdf?ci_sign=dde88a3bec80ce356ad75a2fdd0fbe57cfafbf11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.01 грн
3+220.54 грн
9+135.23 грн
23+127.61 грн
500+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA 3934756.pdf Description: TOSHIBA - TK72E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 179 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.28 грн
10+128.20 грн
100+104.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X(S
Код товару: 189455
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S Виробник : Toshiba 495docget.jsppidtk72e12n1langentypedatasheet.jsppidtk72e12n1langenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1,S1X(S Виробник : Toshiba 495docget.jsppidtk72e12n1langentypedatasheet.jsppidtk72e12n1langenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.