
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 108.74 грн |
10+ | 81.61 грн |
100+ | 52.91 грн |
500+ | 50.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK750A60F,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK750A60F,S4X за ціною від 52.36 грн до 171.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK750A60F,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 300 V |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK750A60F,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
TK750A60F,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |