Продукція > TOSHIBA > TK7A60W5,S5VX(M
TK7A60W5,S5VX(M

TK7A60W5,S5VX(M TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.15 грн
10+94.08 грн
100+73.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7A60W5,S5VX(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK7A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK7A60W5,S5VX(M

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK7A60W5,S5VX(M TK7A60W5,S5VX(M Виробник : Toshiba 279docget.jsppidtk7a60w5langentypedatasheet.jsppidtk7a60w5langentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.