| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.32 грн |
| 10+ | 137.49 грн |
| 50+ | 78.06 грн |
| 100+ | 68.85 грн |
| 250+ | 60.90 грн |
| 500+ | 50.49 грн |
| 1000+ | 45.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7A60W5,S5VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK7A60W5,S5VX за ціною від 168.52 грн до 168.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK7A60W5,S5VX | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SISInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|