
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.23 грн |
10+ | 147.53 грн |
50+ | 83.76 грн |
100+ | 73.88 грн |
250+ | 65.35 грн |
500+ | 54.18 грн |
1000+ | 49.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7A60W5,S5VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK7A60W5,S5VX за ціною від 173.87 грн до 173.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK7A60W5,S5VX | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
TK7A60W5,S5VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
TK7A60W5,S5VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |