Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK7A65D(STA4,Q,M)
TK7A65D(STA4,Q,M)

TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.33 грн
10+119.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: SC-67, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK7A65D(STA4,Q,M)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba TK7A65D_datasheet_en_20131101-1150938.pdf MOSFETs N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
на замовлення 50 шт:
термін постачання 109-118 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D
TK7A65D(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D_datasheet_en_20131101-1150938.pdf
TK7A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
на замовлення 50 шт:
термін постачання 109-118 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.