TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.59 грн |
| 10+ | 120.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: SC-67, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK7A65D(STA4,Q,M) за ціною від 52.92 грн до 217.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK7A65D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SC-67 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK7A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 109-118 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK7A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
TK7A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |