TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.75 грн |
| 10+ | 168.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK7E80W,S1X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK7E80W,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
TK7E80W,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
TK7E80W,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W |
товару немає в наявності |