на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.49 грн |
| 10+ | 159.69 грн |
| 100+ | 103.48 грн |
| 250+ | 100.81 грн |
| 500+ | 87.46 грн |
| 1000+ | 73.44 грн |
| 2500+ | 72.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7J90E,S1E Toshiba
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK7J90E,S1E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK7J90E,S1E | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube |
товар відсутній |
|
.jpg "TK7J90E,S1E") |
TK7J90E,S1E | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |