Продукція > TOSHIBA > TK7P60W,RVQ(S
TK7P60W,RVQ(S

TK7P60W,RVQ(S TOSHIBA

3622515.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.22 грн
500+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7P60W,RVQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK7P60W,RVQ(S за ціною від 37.22 грн до 110.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK7P60W,RVQ(S TK7P60W,RVQ(S Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+70.14 грн
220+56.41 грн
250+49.63 грн
500+42.03 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ(S TK7P60W,RVQ(S Виробник : TOSHIBA 3622515.pdf Description: TOSHIBA - TK7P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.78 грн
14+65.01 грн
100+55.22 грн
500+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ(S TK7P60W,RVQ(S Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.