Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7P60W,RVQ Toshiba
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK7P60W,RVQ за ціною від 67.17 грн до 195.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK7P60W,RVQ | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TK7P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V |
на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TK7P60W,RVQ | Toshiba |
MOSFETs N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC |
на замовлення 784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK7P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 67.17 грн |
| TK7P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.51 грн |
| 10+ | 86.20 грн |
| 100+ | 83.55 грн |
| TK7P60W,RVQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
MOSFETs N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)