Продукція > TOSHIBA > TK7P60W,RVQ
TK7P60W,RVQ

TK7P60W,RVQ Toshiba

14tk7p60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+84.49 грн
100+73.48 грн
500+69.61 грн
1000+65.47 грн
2000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7P60W,RVQ Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK7P60W,RVQ за ціною від 62.24 грн до 219.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+90.99 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba TK7P60W_datasheet_en_20140917-1140047.pdf MOSFETs N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.83 грн
10+124.91 грн
25+96.14 грн
100+71.12 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13578&prodName=TK7P60W Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.11 грн
10+154.50 грн
100+107.46 грн
500+81.99 грн
1000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13578&prodName=TK7P60W Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.