Продукція > TOSHIBA > TK7P60W,RVQ
TK7P60W,RVQ

TK7P60W,RVQ Toshiba

14tk7p60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+121.67 грн
10+ 104.02 грн
100+ 85.85 грн
250+ 79.69 грн
500+ 66.7 грн
1000+ 55.43 грн
2000+ 52.35 грн
4000+ 50 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7P60W,RVQ Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK7P60W,RVQ за ціною від 53.84 грн до 133.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
89+131.03 грн
104+ 112.02 грн
126+ 92.45 грн
250+ 85.82 грн
500+ 71.83 грн
1000+ 59.7 грн
2000+ 56.37 грн
4000+ 53.84 грн
Мінімальне замовлення: 89
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13578&prodName=TK7P60W Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.31 грн
10+ 106.43 грн
100+ 84.71 грн
500+ 67.27 грн
1000+ 57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba TK7P60W_datasheet_en_20140917-1140047.pdf MOSFET N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.73 грн
10+ 111.25 грн
100+ 78.18 грн
250+ 76.2 грн
500+ 67.58 грн
1000+ 59.7 грн
2000+ 54.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13578&prodName=TK7P60W Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товар відсутній