Продукція > TOSHIBA > TK7P60W,RVQ
TK7P60W,RVQ

TK7P60W,RVQ Toshiba

14tk7p60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7P60W,RVQ Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK7P60W,RVQ за ціною від 63.56 грн до 221.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13578&prodName=TK7P60W Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.33 грн
10+92.74 грн
100+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba EFA3A02003A1BC5BB5EE472325EFAD0B98D98D00AF6C6AF9843E7A137BC8F4E6.pdf MOSFETs N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.48 грн
10+85.57 грн
100+73.10 грн
2000+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba 14tk7p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13578&prodName=TK7P60W Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.