Продукція > TOSHIBA > TK7P60W5,RVQ(S
TK7P60W5,RVQ(S

TK7P60W5,RVQ(S TOSHIBA

3934766.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.19 грн
500+44.09 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK7P60W5,RVQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK7P60W5,RVQ(S за ціною від 37.20 грн до 53.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK7P60W5,RVQ(S TK7P60W5,RVQ(S Виробник : TOSHIBA 3934766.pdf Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.00 грн
100+49.19 грн
500+44.09 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(S TK7P60W5,RVQ(S Виробник : Toshiba 125docget.jsppidtk7p60w5langentypedatasheet.jsppidtk7p60w5langentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+53.78 грн
271+45.28 грн
287+42.83 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(S TK7P60W5,RVQ(S Виробник : Toshiba 125docget.jsppidtk7p60w5langentypedatasheet.jsppidtk7p60w5langentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.