TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.14 грн |
| 50+ | 81.59 грн |
| 100+ | 64.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TK7R0E08QM,S1X за ціною від 38.73 грн до 115.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK7R0E08QM,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|