TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.76 грн |
| 50+ | 75.86 грн |
| 100+ | 60.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 32A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK7R0E08QM,S1X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK7R0E08QM,S1X | Toshiba |
MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK7R0E08QM,S1X |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)