Продукція > TOSHIBA > TK8A50D(STA4,Q,M)
TK8A50D(STA4,Q,M)

TK8A50D(STA4,Q,M) TOSHIBA

TK8A50D.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.37 грн
10+76.47 грн
50+63.17 грн
100+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8A50D(STA4,Q,M) TOSHIBA

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK8A50D(STA4,Q,M) за ціною від 41.09 грн до 160.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=21785&prodName=TK8A50D Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.61 грн
50+65.89 грн
100+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba A253D62E1ABEE573D5B97C758119AC26A8AC0817914B7902E9CC688F00A9AD73.pdf MOSFETs N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.04 грн
10+71.71 грн
100+60.56 грн
500+44.33 грн
1000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M) Виробник : TOSHIBA TK8A50D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.05 грн
10+95.29 грн
50+75.80 грн
100+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba 18dst_tk8a50d-tde_en_8998.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.