
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.22 грн |
10+ | 142.57 грн |
50+ | 70.52 грн |
100+ | 63.77 грн |
250+ | 58.87 грн |
500+ | 54.12 грн |
1000+ | 46.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK8A50D(STA4,Q,M) за ціною від 68.67 грн до 165.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK8A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
TK8A50D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
TK8A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |