на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.01 грн |
| 10+ | 113.68 грн |
| 100+ | 78.48 грн |
| 250+ | 67.91 грн |
| 500+ | 60.52 грн |
| 1000+ | 52.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK8A60W5,S5VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK8A60W5,S5VX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK8A60W5,S5VX | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |