Інші пропозиції TK8A65D(STA4,Q,M) за ціною від 59.95 грн до 203.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK8A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SISPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TK8A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TK8A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |



