Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22772&prodName=TK8A65D
Код товару: 186460
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK8A65D(STA4,Q,M) за ціною від 197.82 грн до 197.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22772&prodName=TK8A65D Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba 7AFC91BD87D1478287511E7EDD45FC99926A82690CF79050CC9801025A0F1ADE.pdf MOSFETs N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba 134docget.jsppidtk8a65dlangentypedatasheet.jsppidtk8a65dlangentypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22772&prodName=TK8A65D
TK8A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M) 7AFC91BD87D1478287511E7EDD45FC99926A82690CF79050CC9801025A0F1ADE.pdf
TK8A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M) 134docget.jsppidtk8a65dlangentypedatasheet.jsppidtk8a65dlangentypeda.pdf
TK8A65D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.