TK8P60W,RVQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.25 грн |
| 500+ | 51.42 грн |
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Технічний опис TK8P60W,RVQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK8P60W,RVQ(S за ціною від 51.42 грн до 103.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна | ||||||||||
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TK8P60W,RVQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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