Продукція > TOSHIBA > TK8P60W,RVQ
TK8P60W,RVQ

TK8P60W,RVQ TOSHIBA

TK8P60W.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+74.50 грн
7+61.77 грн
25+56.00 грн
100+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8P60W,RVQ TOSHIBA

Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V.

Інші пропозиції TK8P60W,RVQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13675&prodName=TK8P60W Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13675&prodName=TK8P60W Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ Toshiba TK8P60W_datasheet_en_20140917-1139985.pdf MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ Toshiba 384docget.jsppidtk8p60wlangentypedatasheet.jsppidtk8p60wlangentypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ Toshiba 384docget.jsppidtk8p60wlangentypedatasheet.jsppidtk8p60wlangentypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ docget.jsp?did=13675&prodName=TK8P60W
TK8P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ docget.jsp?did=13675&prodName=TK8P60W
TK8P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ TK8P60W_datasheet_en_20140917-1139985.pdf
TK8P60W,RVQ
Виробник: Toshiba
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ 384docget.jsppidtk8p60wlangentypedatasheet.jsppidtk8p60wlangentypeda.pdf
TK8P60W,RVQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ 384docget.jsppidtk8p60wlangentypedatasheet.jsppidtk8p60wlangentypeda.pdf
TK8P60W,RVQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.