Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK8P60W5,RVQ
TK8P60W5,RVQ

TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK8P60W5,RVQ за ціною від 64.08 грн до 111.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba 21365596953444432136559365919884tk8p60w5_datasheet_en_20151022.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba 21365596953444432136559365919884tk8p60w5_datasheet_en_20151022.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+79.20 грн
100+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba TK8P60W5_datasheet_en_20151022-1916264.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ 21365596953444432136559365919884tk8p60w5_datasheet_en_20151022.pdf.pdf
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ 21365596953444432136559365919884tk8p60w5_datasheet_en_20151022.pdf.pdf
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.06 грн
10+79.20 грн
100+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5_datasheet_en_20151022-1916264.pdf
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.