Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK8P60W5,RVQ
TK8P60W5,RVQ

TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK8P60W5_datasheet_en_20151022.pdf?did=14496&prodName=TK8P60W5 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+51.86 грн
6000+ 48.09 грн
10000+ 46.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK8P60W5,RVQ за ціною від 42.21 грн до 113.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Виробник : Toshiba TK8P60W5_datasheet_en_20151022-1916264.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.65 грн
10+ 88.87 грн
100+ 61.43 грн
250+ 57.13 грн
500+ 51.85 грн
1000+ 44.39 грн
2000+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5_datasheet_en_20151022.pdf?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 15673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.6 грн
10+ 98.04 грн
100+ 78.79 грн
500+ 60.75 грн
1000+ 50.33 грн
Мінімальне замовлення: 3