Продукція > TOSHIBA > TK8P65W,RQ(S
TK8P65W,RQ(S

TK8P65W,RQ(S TOSHIBA

3934778.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.93 грн
500+43.41 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8P65W,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK8P65W,RQ(S за ціною від 37.28 грн до 100.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK8P65W,RQ(S TK8P65W,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934778.pdf Description: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.17 грн
11+80.05 грн
100+56.93 грн
500+43.41 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQ(S TK8P65W,RQ(S Виробник : Toshiba 8docget.jsplangenpidtk8p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk8p65wtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.