Продукція > TOSHIBA > TK8P65W,RQ(S
TK8P65W,RQ(S

TK8P65W,RQ(S TOSHIBA


3934778.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.28 грн
500+71.46 грн
1000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8P65W,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 80W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm.

Інші пропозиції TK8P65W,RQ(S за ціною від 61.53 грн до 220.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK8P65W,RQ(S TK8P65W,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934778.pdf Description: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.71 грн
10+143.58 грн
100+99.28 грн
500+71.46 грн
1000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.