Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK8P65W,RQ
TK8P65W,RQ

TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=15485&prodName=TK8P65W Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.51 грн
10+100.31 грн
100+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK8P65W,RQ за ціною від 56.06 грн до 145.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK8P65W,RQ TK8P65W,RQ Виробник : Toshiba TK8P65W_datasheet_en_20140917-1649738.pdf MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.91 грн
10+115.06 грн
25+96.37 грн
100+71.29 грн
500+58.56 грн
1000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQ TK8P65W,RQ Виробник : Toshiba 8docget.jsplangenpidtk8p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk8p65wtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQ TK8P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15485&prodName=TK8P65W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.