на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.69 грн |
| 10+ | 60.18 грн |
| 100+ | 41.47 грн |
| 500+ | 35.08 грн |
| 1000+ | 26.86 грн |
| 5000+ | 26.20 грн |
| 10000+ | 26.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK8R2A06PL,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK8R2A06PL,S4X за ціною від 53.00 грн до 111.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK8R2A06PL,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|