Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK8S06K3L(T6L1,NQ)
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK8S06K3L(T6L1,NQ) за ціною від 32.28 грн до 147.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK8S06K3L(T6L1,NQ) TK8S06K3L(T6L1,NQ) Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) TK8S06K3L(T6L1,NQ) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10573&prodName=TK8S06K3L Description: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.72 грн
10+77.88 грн
100+52.96 грн
500+39.81 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) TK8S06K3L(T6L1,NQ) Виробник : Toshiba CCC05BE469C2263ABB7154D543D41802AACCD9E051F07B32FA1B87C6B510AF26.pdf MOSFETs N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.23 грн
10+90.61 грн
100+52.01 грн
500+41.35 грн
1000+36.67 грн
2000+33.54 грн
4000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ) TK8S06K3L(T6L1,NQ) Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.