TK9A60D(STA4,Q,M) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK9A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.67 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 209.09 грн |
| 10+ | 108.35 грн |
| 100+ | 97.35 грн |
| 500+ | 73.26 грн |
| 1000+ | 57.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK9A60D(STA4,Q,M) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK9A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.67 ohm, SC-67, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: SC-67, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK9A60D(STA4,Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK9A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|
 |
TK9A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83 |
товару немає в наявності |