TK9A90E,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK9A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 264.37 грн |
| 10+ | 122.74 грн |
| 100+ | 115.02 грн |
| 500+ | 105.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK9A90E,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK9A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK9A90E,S4X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK9A90E,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
TK9A90E,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товару немає в наявності |
|
| TK9A90E,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 27A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |