TK9A90E,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK9A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 166.92 грн |
| 10+ | 123.7 грн |
| 100+ | 99.85 грн |
| 500+ | 72.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK9A90E,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK9A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK9A90E,S4X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK9A90E,S4X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товар відсутній |