на замовлення 611 шт:
термін постачання 182-191 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.22 грн |
| 10+ | 122.84 грн |
| 100+ | 85.45 грн |
| 250+ | 84.12 грн |
| 500+ | 71.43 грн |
| 1000+ | 59.62 грн |
| 5000+ | 57.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK9A90E,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK9A90E,S4X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK9A90E,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
TK9A90E,S4X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товар відсутній |