Технічний опис TK9J90E,S1E(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 9A, Power dissipation: 250W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TK9J90E,S1E(S за ціною від 280.04 грн до 322.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK9J90E,S1E(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
TK9J90E,S1E(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK9J90E,S1E(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 322.47 грн |
| 51+ | 280.04 грн |
| TK9J90E,S1E(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)