на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 206.39 грн |
| 10+ | 182.49 грн |
| 25+ | 171.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK9J90E,S1E(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 9A, Power dissipation: 250W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TK9J90E,S1E(S за ціною від 175.39 грн до 347.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK9J90E,S1E(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK9J90E,S1E(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Power dissipation: 250W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK9J90E,S1E(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Power dissipation: 250W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK9J90E,S1E(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
TK9J90E,S1E(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |