Продукція > TOSHIBA > TK9J90E,S1E(S
TK9J90E,S1E(S

TK9J90E,S1E(S Toshiba


698docget.jsplangenpidtk9j90etypedatasheet.jsplangenpidtk9j90etypeda.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+202.46 грн
10+179.01 грн
25+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK9J90E,S1E(S Toshiba

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 9A, Power dissipation: 250W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції TK9J90E,S1E(S за ціною від 176.14 грн до 349.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK9J90E,S1E(S TK9J90E,S1E(S Виробник : Toshiba 698docget.jsplangenpidtk9j90etypedatasheet.jsplangenpidtk9j90etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+276.17 грн
51+239.83 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
TK9J90E,S1E(S TK9J90E,S1E(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A112E12B5873D6&compId=TK9J90E.pdf?ci_sign=92090ca6b488231b409fd2afcf028b604b58afc8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Power dissipation: 250W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.98 грн
5+243.09 грн
6+186.50 грн
14+176.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK9J90E,S1E(S TK9J90E,S1E(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896A112E12B5873D6&compId=TK9J90E.pdf?ci_sign=92090ca6b488231b409fd2afcf028b604b58afc8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Power dissipation: 250W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.17 грн
5+302.93 грн
6+223.80 грн
14+211.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK9J90E,S1E(S TK9J90E,S1E(S Виробник : Toshiba 698docget.jsplangenpidtk9j90etypedatasheet.jsplangenpidtk9j90etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK9J90E,S1E(S TK9J90E,S1E(S Виробник : Toshiba 698docget.jsplangenpidtk9j90etypedatasheet.jsplangenpidtk9j90etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.