на замовлення 4350 шт:
термін постачання 162-171 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.94 грн |
| 10+ | 165.07 грн |
| 100+ | 114.16 грн |
| 250+ | 109.49 грн |
| 500+ | 94.8 грн |
| 1000+ | 75.44 грн |
| 5000+ | 73.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK9J90E,S1E Toshiba
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK9J90E,S1E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TK9J90E,S1E | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товар відсутній |
||
.jpg "TK9J90E,S1E") |
TK9J90E,S1E | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
товар відсутній |