Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TMBT3904,LM
TMBT3904,LM

TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904_datasheet_en_20180517.pdf?did=29706&prodName=TMBT3904 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2 грн
6000+ 1.82 грн
9000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

Інші пропозиції TMBT3904,LM за ціною від 1.33 грн до 11.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3904_datasheet_en_20180517.pdf?did=29706&prodName=TMBT3904 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 20321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.5 грн
35+ 7.96 грн
100+ 4.26 грн
500+ 3.14 грн
1000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba TMBT3904_datasheet_en_20180517-1916423.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 13636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.55 грн
38+ 8.17 грн
100+ 3.25 грн
1000+ 1.93 грн
3000+ 1.73 грн
9000+ 1.66 грн
24000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 27
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba 14007019361616721400698883561457tmbt3904_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba 14007019361616721400698883561457tmbt3904_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba 14007019361616721400698883561457tmbt3904_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній