Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TMBT3904,LM
TMBT3904,LM

TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=29706&prodName=TMBT3904 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.16 грн
6000+1.85 грн
9000+1.74 грн
15000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

Інші пропозиції TMBT3904,LM за ціною від 1.68 грн до 12.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29706&prodName=TMBT3904 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 15496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.54 грн
48+6.67 грн
100+4.12 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba CD51444395895DE5E1DCE284DF5A02D2C2F52417526FBA846B26DB830DEDA93E.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 11758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.27 грн
52+6.83 грн
100+3.96 грн
500+2.82 грн
1000+2.51 грн
3000+1.90 грн
6000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba 14007019361616721400698883561457tmbt3904_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba 14007019361616721400698883561457tmbt3904_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3904,LM TMBT3904,LM Виробник : Toshiba 14007019361616721400698883561457tmbt3904_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.